CJD31C TR13 -teknologiavaatimukset
Central Semiconductor - CJD31C TR13 Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin Central Semiconductor - CJD31C TR13
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | Central Semiconductor | |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A | |
| transistori tyyppi | NPN | |
| Toimittaja Device Package | DPAK | |
| Sarja | - | |
| Virta - Max | 1.56W | |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | |
| Pakkaus / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Muut nimet | CJD31C TR13 PBFREE CJD31C TR13-TR CJD31C TR13-TR-ND CJD31CTR13-TR |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Valmistajan toimitusaika | 15 Weeks | |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | |
| Taajuus - Siirtyminen | 3MHz | |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK | |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V | |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 50µA | |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 3A |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin Central Semiconductor CJD31C TR13.
| Tuoteominaisuus |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | CJD31C TR13 | CJD32C TR13 | CJD41CTR13 | CJD350 TR13 |
| Valmistaja | Central Semiconductor | Central Semiconductor Corp | CENTRAC | Central Technologies |
| Toimittaja Device Package | DPAK | DPAK | - | - |
| Pakkaus / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Valmistajan toimitusaika | 15 Weeks | - | - | - |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 50µA | 50µA | - | - |
| transistori tyyppi | NPN | PNP | - | - |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 3A | 3 A | - | - |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| Virta - Max | 1.56W | 1.56 W | - | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK | - | - | - |
| Taajuus - Siirtyminen | 3MHz | 3MHz | - | - |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V | 100 V | - | - |
| Sarja | - | - | - | - |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V | 10 @ 3A, 4V | - | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A | 1.2V @ 375mA, 3A | - | - |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| Muut nimet | CJD31C TR13 PBFREE CJD31C TR13-TR CJD31C TR13-TR-ND CJD31CTR13-TR |
- | - | - |
Lataa CJD31C TR13 PDF -lehdet ja Central Semiconductor -dokumentaatio CJD31C TR13 - Central Semiconductor: lle.
CJD41CTR13CENTRACCJD350 TR13Central TechnologiesCJD32C MOSCentral TechnologiesCJD4410CHANGDIANCJD32C TR13Central Semiconductor CorpTRANS PNP 100V 3A DPAKCJD200Central TechnologiesCJD3055 TR13Central TechnologiesCJD243CJDCJD41CCentral TechnologiesCJD31CTR13Central TechnologiesCJD31C MOSCentral TechnologiesCJD122CJD32CCentral TechnologiesCJD127 MOSCJCJD127CENTRACJD42CCentral TechnologiesCJD4435VBsemiCJD31C| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.